목적원소를 이온화하여 정전(靜電)적으로 가속해서 고체 중에 도입함으로써 표면근방(약100m까지)이 연속적이면서 선택적으로 조성…
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목적원소를 이온화하여 정전(靜電)적으로 가속해서 고체 중에 도입함으로써 표면근방(약100m까지)이 연속적이면서 선택적으로 조성이 변화하며, 반도체의 실리콘 도핑 등에 이용되는 표면개질처리는?
스퍼터(Suptter)법
이온플레이팅(Ion plating)법
플라즈마(Plasma) CVD 법
이온 주입(Ion implantation)법
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