4가인 Ge 이나 Si에 3가인 Ga, ln 등을 넣어 만든다.

다수 캐리어가 정공인 불순물 반도체이다.

불순물 첨가에 의해 새로운 에너지 준위인 억셉터 준위가 생긴다.

캐리어의 대부분이 전자인 불순물 반도체이다.