트랜지스터보다 속도가 느리며 이득, 대역폭(GB)적이 적다.

FET 자체가 저항 작용을 하므로 MOS 소자만으로 디지털 시스템 구성이 가능하다.

P채널소자의 ON 저항이 n채널소자 보다 적다.

n채널 MOS소자의 스위칭 시간이 P채널보다 작다.