다이오드는 P형 반도체와 N형 반도체를 접합시킨 것이다.

P형 반도체와 N형 반도체의 접합부를 공핍층이라 한다.

발광 다이오드는 PN 접합면에 역방향 전압을 걸면 에너지의 일부가 빛으로 되어 외부에 발산한다.

제너현상은 역방향 전압을 작용시키면 공핍층의 가전자는 역방향 전압의 힘에 전류가 흐르는 현상을 말한다.