일반적인 CVD 장치는 크게 원료수송부, 반응기, 부산물 배출구의 세부분으로 나눌 수있다.

산이나 알칼리 용액에 표면처리를 위하여 담구거나 원료 및 제품을 중화시키는 공정이다.

CVD법에 의한 화학반응의 종류로는 이종반응(heterogeneous reaction)이 대표적이다.

기체, 액체 혹은 고체상태의 원료화합물을 반응기 내에 공급하여 기판 표면에서의 화학적 반응을 유도함으로써 반도체 기관 위에 고체 반응생성물인 박막층을 형성하는 공정이다.