발파면의 전방비산*최저한계 장약량에 가까울수록 많아지므로 장악량의 조절로 비산문제를 모두 해결할 수 있다.

궁저장약에 의한 비산은 천공시의 오차와 암석내 균열에 의해 발생되며 발파면 전방에 파쇄암석을 그대로 방치함으로서 비산을 감소시킬 수 있다.

뇌관배열의 영향에 의한 비산은 앞 단계의 파쇄 암석이 완전히 이동한 다음 뒷열의 발파가 이루어지게 힘으로서 감소시킬 수 있다.

공구에서의 비산은 약한 폭약으로 많은 부분을 장약하는 것보다 강력한 공저장약과 공구부분의 무장약부분을 크게 함으로서 줄일 수 있다.