실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)

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실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바…

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실내온도에서 진성반도체(Si)의 페르미 에너지(Ef)가 근사적으로 금지대역의 중앙에 위치한다고 가정할 때, 전자가 전도대의 바닥상태에 있을 확률은? (단, 실온에서 Si의 Eg=1.12eV이다.)

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