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'문제풀이 모드'와 '속성암기 모드' 중 선택하여 학습을 진행할 수 있습니다.
'다음문제'를 클릭하시면 동일 시험의 문제 중 학습에 가장 효과적인 다음 문제로 이동합니다.
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2003년05월25일
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2004년09월05일
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2005년09월04일
2006년03월05일
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2007년03월04일
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2017년05월07일
2017년09월23일
2018년03월04일
2018년04월28일
2018년09월15일
번호
문제
정답률(%)
4572
피에조 저항(piezo resistance)은?
정답률 : -
-
4571
진성 반도체에서 온도가 상승하면?
정답률 : -
-
4570
P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)
정답률 : -
-
4569
저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
정답률 : -
-
4568
두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?
정답률 : -
-
4567
Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
4566
2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은?
정답률 : -
-
4565
열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
정답률 : -
-
4564
에너지 준위도에서 0 준위는?
정답률 : -
-
4563
열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?
정답률 : -
-
4562
스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?
정답률 : -
-
4561
마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?
정답률 : -
-
4560
모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은?
정답률 : -
-
4559
CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는?
정답률 : -
-
4558
펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
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