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'문제풀이 모드'와 '속성암기 모드' 중 선택하여 학습을 진행할 수 있습니다.
'다음문제'를 클릭하시면 동일 시험의 문제 중 학습에 가장 효과적인 다음 문제로 이동합니다.
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2017년05월07일
2017년09월23일
2018년03월04일
2018년04월28일
2018년09월15일
번호
문제
정답률(%)
687
마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보교환을 위해 필요한 물리적 연결은?
정답률 : -
-
686
컴퓨터 주기억장치의 용량을 1MB(Mega Byte)의 크기로 구성하려고 한다. 1 바이트가 8 bit이고 Parity bit를 포함한다면 64KB(Kilo By…
정답률 : -
-
685
마이크로프로그램을 이용한 제어 방식의 특징에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
684
CPU의 제어ㆍ기억장치에서 주소를 결정하는 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
683
C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
682
부동소수점 연산에서 정규화의 이유로 가장 타당한 것은?
정답률 : -
-
681
Associative 기억장치의 특징에 대한 설명으로 가장 적합하지 않은 것은?
정답률 : -
-
680
4-단계 파이프라인 구조의 컴퓨터에서 클락주기가 1μs일 때, 10개의 명령어를 실행하는데 걸리는 시간은?
정답률 : -
-
679
베이스 폭(d)이 0.02mm 이고, 전자의 확산계수(De)가 0.02[m2 /sec]인 트랜지스터의 차단주파수는 약 MHz 인가?
정답률 : -
-
678
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
정답률 : -
-
677
진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은? (단, 전자와 정공의 유효질량은 같다고 가정한다.)
정답률 : -
-
676
접합형 트랜지스터가 스위치로 쓰이는 영역은?
정답률 : -
-
675
에너지 Level E가 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때, 에너지 Level E가 정공에 의해서 채워질 확률은?
정답률 : -
-
674
서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류전류를 흐르게 했을 때, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 …
정답률 : -
-
673
P 채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
정답률 : -
-
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