Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

팝업레이어 알림

e881cda2338fe2f54e482e9f188f7c72_1682930450_1093.jpg


ae9bf1983599c20a98079b6bcc492e88_1716346166_1083.png

홈 > 학습하기 > 전자기사
전자기사

Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

문제풀이 모드 0 정답률 : -

Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에

Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

,

0 Comments