홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.

게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.

P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.

온도를 증가시키면 저항은 증가한다.