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'문제풀이 모드'와 '속성암기 모드' 중 선택하여 학습을 진행할 수 있습니다.
'다음문제'를 클릭하시면 동일 시험의 문제 중 학습에 가장 효과적인 다음 문제로 이동합니다.
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번호
문제
정답률(%)
2457
고속의 전자(이온)가 금속의 표면에 충돌하면 금속 안의 자유전자가 방출되는 현상은?
정답률 : -
-
2456
100[V] 전압으로 가속된 전자속도는 25[V]의 전압으로 가속된 전자속도의 몇 배인가?
정답률 : -
-
2455
FET가 초퍼(Chopper)로 적합한 가장 큰 이유는?
정답률 : -
-
2454
전가산기를 구성할 때 필요한 게이트는?
정답률 : -
-
2453
다음 그림은 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=3[V]이면, 출력 Vo는?
정답률 : -
-
2452
다음 회로는 어떤 궤환 증폭회로인가?
정답률 : -
-
2451
다음 회로에서 Voi는 연산 증폭기의 입력 직류 오프셋 전압이다. 직류 출력 오프셋 전압 Vos는?
정답률 : -
-
2450
궤환에 관한 설명으로 틀린 것은?
정답률 : -
-
2449
트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β는?
정답률 : -
-
2448
베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
정답률 : -
-
2447
B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
정답률 : -
-
2446
mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 최소 필요한 플립플롭의 수는?
정답률 : -
-
2445
MOSFET의 채널은 어느 단자 사이에 형성되는가?
정답률 : -
-
2444
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
정답률 : -
-
2443
FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?
정답률 : -
-
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