Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

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Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

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Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

Ge의 에너지갭이 Si의 에너지갭보다 좁기 때문에

Si의 에너지갭이 Ge의 에너지갭보다 좁기 때문에

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문에

Ge이 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문에

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