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'문제풀이 모드'와 '속성암기 모드' 중 선택하여 학습을 진행할 수 있습니다.
'다음문제'를 클릭하시면 동일 시험의 문제 중 학습에 가장 효과적인 다음 문제로 이동합니다.
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2018년09월15일
번호
문제
정답률(%)
4167
트랜지스터의 평형 상태에 대한 설명으로 옳지않은 것은?
정답률 : -
-
4166
다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ 를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?
정답률 : -
-
4165
진공속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52[eV]이다.)
정답률 : -
-
4164
에피텍셜(epitaxial) 성장이란?
정답률 : -
-
4163
과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
정답률 : -
-
4162
순수 반도체에서 온도가 상승하면?
정답률 : -
-
4161
진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?
정답률 : -
-
4160
사이리스터(thyristor)의 설명 중 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
4159
Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?
정답률 : -
-
4158
반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
4157
다음 설명 중 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
4156
P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)
정답률 : -
-
4155
캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
정답률 : -
-
4154
반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?
정답률 : -
-
4153
베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지 전류 증폭율은?
정답률 : -
-
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