GTO 사이리스터처럼 역방향 전압저지 특성을 갖는다.

오프상태에서 SCR 사이리스터처럼 양방향 전압저지 능력을 갖는다.

게이트와 에미터간 입력 임피던스가 매우 높아 BJT 보다 구동하기 쉽다.

BJT처럼 온드롭(no-drop)이 전류에 관계없이 낮고 거의 일정하여 MOSFET 보다 큰 전류를 흘릴 수 있다.