Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
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Ge 다이오드와 Si 다이오드를 비교한 내용으로 틀린 것은?
진성재료로서 Ge이 Si보다 1[cm2 ]당 자유전자의 개수가 적다.
Si 다이오드에 대한 정격전압은 약 1000[V]이고 Ge 다이오드에 대한 정격전압은 약 400[V]이다.
Si 다이오드는 온도정격은 약 200[℃]이고, Ge 다이오드의 온도정격은 약 100[℃]이다.
Si 다이오드의 문턱전압은 0.7[V]이고, Ge 다이오드인 경우는 0.3[V]이다.
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